這使得世界上第一片高質(zhì)量、原子厚度的硒化銦薄膜被生產(chǎn)出來(lái)。它在室溫下的電子遷移率達(dá)到 2,000 cm2/Vs，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅。在更低溫度下，這項(xiàng)指標(biāo)還會(huì)

這使得世界上第一片高質(zhì)量、原子厚度的硒化銦薄膜被生產(chǎn)出來(lái)。它在室溫下的電子遷移率達(dá)到 2,000 cm2/Vs，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅。在更低溫度下，這項(xiàng)指標(biāo)還會(huì)成倍増長(zhǎng)。

當(dāng)前的實(shí)驗(yàn)中，研究者們制作出的硒化銦長(zhǎng)寬有幾微米，大約相當(dāng)于一根頭發(fā)絲的橫截面那么大。研究人員們相信，只要結(jié)合現(xiàn)有的制作大面積石墨烯的技術(shù)，硒化銦的商業(yè)化生產(chǎn)指日可待。

國(guó)立石墨烯研究院負(fù)責(zé)人，同時(shí)也是這篇論文作者之一的 Vladimir Falko 教授說(shuō)：

“國(guó)立石墨烯研究院開(kāi)發(fā)的技術(shù)，能把材料的原子層進(jìn)行分離，生產(chǎn)出高質(zhì)量二維晶體。這項(xiàng)技術(shù)為開(kāi)發(fā)應(yīng)用于光電子學(xué)的新材料，提供了廣闊的前景。我們一直在尋找新的層狀材料做試驗(yàn)。”

超薄硒化銦，是飛速增長(zhǎng)的的二維晶體大家族中的一員。這些二維晶體，根據(jù)結(jié)構(gòu)、厚度和化學(xué)成分的不同，有許多有用的屬性。對(duì)石墨烯和二維材料的研究，溝通了科學(xué)和工程技術(shù)。在今天，這是材料科學(xué)發(fā)展最快的領(lǐng)域。

[責(zé)任編輯：張倩]

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